節能報告
■服務內容
? ?根據國家文件及指南要求，編制節能報告，滿足固定資產投資項目節能審查要求。
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■典型案例
（1）項目案例1
? ?項目名稱：高端封測項目
? ?建設單位：青島新核芯科技有限公司
? ?建設地點：青島市西海岸新區王臺鎮康泰路97號
? ?項目總用地面積：86479平方米
? ?生產規模：本工程工藝采用晶圓級封裝（WLP），工藝技術主要采用Bumping技術、FO-SiP技術，主要產品為FO-SiP封裝產品。具體地，12寸FO-SiP封裝晶圓1萬片/月；12寸Bumping晶圓2萬片/月。產品應用于5G射頻器件、設備端（主要為手機）、基站等領域。
（2）項目案例2
? ?項目名稱：綿陽第6代AMOLED（柔性）生產線項目
? ?建設單位：綿陽京東方光電科技有限公司
? ?建設地點：四川省綿陽高新技術產業開發區
? ?項目總用地面積：約1200畝
? ?生產規模：陣列玻璃基板投入量：4.8萬片/月；玻璃基板尺寸：1500mm×1850mm。主要產品包括6.0"QHD+18:9、6.2"QHD+20:9、6.7"QHD+20:9、6.7"UHD+20:9、5.9"QHD+ 20:9 Real RGB、8"UHD+ 18:18、15.6"UHD+4:6等中小尺寸面板
（3）項目案例3
? 項目名稱：第8.6代氧化物半導體新型顯示器件生產線項目
? 建設單位：廣州華星光電半導體顯示技術有限公司
? 建設地點：廣州市黃埔區開發區
? 項目總用地面積：549817平方米
? 生產規模：第8.6代氧化物半導體新型顯示器件生產線，加工玻璃基板尺寸2250mm×2600mm，玻璃基板投片量：18萬片/月。主要產品：主要生產和銷售中小尺寸高附加值IT顯示屏（包括Monitor、Notebook、平板、手機），車載顯示器、醫療、工控、航空等專業顯示器、商用顯示面板等。
（4）項目案例4
? ?項目名稱：12英寸閃存芯片M-Fab項目
? ?建設單位：三星（中國）半導體有限公司
? ?建設地點：中國陜西省西安高新綜合保稅區洨河北路1999號
? ?項目新增建筑面積：180929.51平方米
? ?生產規模：產品為12英寸第6代（V6）3D NAND閃存芯片，規格型號為256G/512G ?NAND MLC ，設計產能2.8萬片/月；工藝技術路線10-Xnm。
■目錄架構
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? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 圖示：? 能評報告目錄架構